报告题目 (Title)：铪基铁电隧道结退极化特性调控及其在人工神经系统中的应用
报告人 (Speaker)：龙啸 博士（中国科学院微电子研究所）
报告时间 (Time)：2024年10月11日(周五) 15:00
报告地点 (Place)：校本部 G313
邀请人 (Inviter)：曾志刚 副教授
主办部门：永利物理系、上海市高温超导重点实验室
摘要 (Abstract)：
铪基铁电隧道结（HfO2 based FTJs）因其优异的CMOS兼容性、高集成密度以及低功耗等特点，已成为当前构建人工神经网络系统的重要选择。对退极化效应的研究至关重要，是调控器件的非易失性的关键，对于实现不同种类神经网络的应用具有重要意义。近期，来自中国科学院微电子研究所刘明院士团队的龙啸博士，主导了在锗晶圆上的HZO FTJ工艺优化工作。通过采用下界面氧化物插层工艺，在增强隧道电阻窗口的同时大幅减轻了退极化效应的影响，降低了操作电压，并提高了器件的可靠性。这项优化的器件结构具备低功耗、电导连续可调的优势，已成功应用于合作方开发的离子传感和发电的生物源传感装置（BSSD），作为零电压写入人工神经系统（ZANS）的核心组件。
